晶圓測(cè)試設(shè)備,XAD-μ-wafer能量色散X熒光光譜儀 多導(dǎo)毛細(xì)聚焦XRF是一款專用于超小測(cè)量點(diǎn)或極薄涂層的分析測(cè)量的儀器，在柔性電路板、芯片封裝環(huán)節(jié)、晶圓微區(qū)的鍍層厚度和成分自動(dòng)測(cè)試分析中盡顯優(yōu)勢(shì)?？梢詼y(cè)量微電子設(shè)備、高級(jí)線路板、連接器、引線框架和晶片的超微小區(qū)域。

能量色散X熒光光譜儀 多導(dǎo)毛細(xì)聚焦XRF是一款專用于超小測(cè)量點(diǎn)或極薄涂層的分析測(cè)量的儀器，在柔性電路板、芯片封裝環(huán)節(jié)、晶圓微區(qū)的鍍層厚度和成分自動(dòng)測(cè)試分析中盡顯優(yōu)勢(shì)。

可以測(cè)量微電子設(shè)備、高級(jí)線路板、連接器、引線框架和晶片的超微小區(qū)域。

1）搭載微聚焦加強(qiáng)型X射線發(fā)生器及多導(dǎo)毛細(xì)管技術(shù)，測(cè)量直徑可小至10μm

2）全景+微區(qū)雙相機(jī)設(shè)計(jì)，觀察樣品更為全面，微區(qū)小至微米級(jí)別的分辨率，實(shí)現(xiàn)更快速便捷的測(cè)試

3）基于EFP算法的新一代膜厚測(cè)量軟件EFP-T，支持基于標(biāo)樣的定量分析，支持無標(biāo)樣定性分析，可同時(shí)分析23個(gè)鍍層，24種元素

4）大面積高分辨率Dpp+Fast SDD探測(cè)器，優(yōu)于125eV

5）測(cè)量元素范圍：鋁Al（13）-鈾U（92）

6）涂鍍層分析范圍：鋰Li（3）-鈾U（92）

7）安全互鎖、防夾手及Z軸防碰撞設(shè)置，V區(qū)激光保護(hù)，保護(hù)測(cè)量頭的同時(shí)，測(cè)量距離，可測(cè)樣品類型范圍更廣

配備全自動(dòng)可編程移動(dòng)平臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)無人值守，對(duì)成百上千個(gè)樣品進(jìn)行全自動(dòng)檢測(cè)

行業(yè)應(yīng)用：Bumping（Solder Bump- Ag含量檢測(cè)）

Flip-Chip是優(yōu)良封裝最大市場(chǎng)，Bumping是其主要的工藝，顯著提高集成密度。目前，頭部晶圓制造廠將Bump Pitch推進(jìn)至10μm以下，國(guó)內(nèi)大封裝廠挺近40μm。

Bumping/μ-Bumping，（微）凸塊制造技術(shù)是倒裝等發(fā)展演化的基礎(chǔ)工程，并延伸演化出TSV、WLP、2.5D/3D、MEMS等封裝結(jié)構(gòu)與工藝，廣泛應(yīng)用于5G、人工智能、云計(jì)算、可穿戴電子、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)處理及儲(chǔ)存等集成電路應(yīng)用中。

錫銀凸塊制程中，無鉛焊錫：錫銀Sn-Ag, 錫銀銅Sn-Ag-Cu作為無鉛焊錫廣泛使用在PCB, Bump上。針對(duì)無鉛焊錫凸塊(Lead Free solder Bump)其中銀的濃度大小將直接影響焊錫的熔點(diǎn)和質(zhì)量，因此在焊錫的質(zhì)量管理中銀含量的濃度要求是十分嚴(yán)格的。而凸塊的面積很小, 在常規(guī)XRF小樣品小準(zhǔn)直器光通量小下，不能精準(zhǔn)分析其中的Ag含量，很難實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品工藝實(shí)時(shí)優(yōu)化。

行業(yè)應(yīng)用：金屬薄膜沉積厚度及成分檢測(cè)（PVD/CVD）

芯片是由一系列有源和無源電路元件堆疊而成的3D結(jié)構(gòu)，薄膜沉積是芯片前道制造的核心工藝之一。從芯片截取橫截面來看，芯片是由一層層納米級(jí)元件堆疊而成，所有有源電路元件（例如晶體管、存儲(chǔ)單元等）集中在芯片底部，另外的部分由上層的鋁/銅互連形成的金屬層及各層金屬之間的絕緣介質(zhì)層組成。

薄膜的制備需要不同技術(shù)原理，因此導(dǎo)致薄膜沉積設(shè)備也需要不同技術(shù)原理，物理/化學(xué)等不同沉積方法相互補(bǔ)充。

薄膜沉積工藝主要分為物理和化學(xué)方法兩類：

1）物理方法：指利用熱蒸發(fā)或受到粒子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等物理過程，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到襯底材料表面的物質(zhì)轉(zhuǎn)移。物理方法包括物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）、旋涂、電鍍（Electrondeposition/Electroplating，ECD/ECP）等

2）化學(xué)方法：把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸汽，以合理的氣流引入工藝腔室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面上沉積薄膜?；瘜W(xué)方法包括化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）和外延（Epitaxy，EPI）等，

PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜，最主要用于金屬互連籽晶層、阻擋層、硬掩膜、焊盤等。磁控濺射PVD主要用于Al金屬籽晶層、TiN金屬硬掩膜。磁控濺射PVD中的磁控DCPVD是應(yīng)用廣泛的沉積方式，特別是對(duì)于平面薄膜的沉積，比如Al互連的金屬層，但在Cu互連（CuBs）中應(yīng)用減少，32nm以下的TiN硬掩膜又開啟了這類技術(shù)的新應(yīng)用。離子化PVD主要用于Al的阻擋層、CuBs中的阻擋層和籽晶層，也可以和金屬CVD結(jié)合用于沉積鎢栓塞中的Ti粘附層。

CVD常用于沉積絕緣介質(zhì)薄膜，用于前段的柵氧化層、側(cè)墻、阻擋層、PMD等領(lǐng)域和后段的IMD、Barc、阻擋層、鈍化層等領(lǐng)域，另外CVD也可以制備金屬薄膜（如W等）。

XAD-μ-wafer搭載一六儀器國(guó)產(chǎn)自研的多導(dǎo)毛細(xì)光學(xué)系統(tǒng)，同時(shí)能夠提供小至10μm的光斑、上千倍的強(qiáng)度增益，可以解決Au、Ag、Al、Ti/TiN、V、Ni、W、Cu、Mo鍍層精準(zhǔn)測(cè)試，常規(guī)金屬薄膜厚度檢出限可至1nm。

EFP軟件操作界面截圖：

1. 清晰化操作界面布局

    簡(jiǎn)約的布局設(shè)計(jì)，可令操作員快速的掌握軟件基本操作。

2. 程式快捷鍵按鈕設(shè)計(jì)

增加了日常鍍層程序快捷鍵設(shè)計(jì)按鈕，無需進(jìn)入程序庫(kù)挑選，便可快速檢測(cè)，提升工作效率。

3. 高清全景微區(qū)可視化窗口

   可以清晰直觀的觀測(cè)到被檢測(cè)樣品的狀態(tài)，通過變焦調(diào)節(jié)旋鈕，達(dá)到用戶理想的觀測(cè)效果。

4. 儀器數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)匯總

可一目了然的觀測(cè)到儀器所有數(shù)據(jù)，有任何異常，系統(tǒng)都將第一時(shí)間提醒，大大降低操作失誤。